平行板電容式PECVD是一種用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激活并實現化學氣相沉積的技術。該系統為單室等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發設備，用于生長納米線或用CVD，方法來制作各種薄膜是一款新的探索工具。1、系統采用單筒式結構，手動前開門
2、高真空環境下進行沉積薄膜
3、不銹鋼腔體
4、樣品臺可轉動

產品名稱	平行板電容式PECVD
安裝條件	1、環境溫度：10℃～35℃ 2、相對濕度：不大于75% 3、供電電源：220V、單相、50±0.5 Hz 4、設備功率：小于4KW 5、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃， 6、設備周圍環境整潔，空氣清潔，不應有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導電的塵埃或氣體存在。
主要參數	1、系統采用單室筒式結構，手動前開門； 2、真空室組件及配備零部件全部采用優質不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，真空室尺寸為Φ300mm×300mm； 3、極限真空度：8.0x10-5 Pa (經烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級采用4L/S)； 系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統從大氣開始抽氣到8.0x10-4 Pa，40分鐘可達到； 停泵關機12小時后真空度：≤20 Pa； 4、采用樣品在下，噴淋頭在上的電容式耦合方式進氣； 5、樣品ZG加熱溫度：500℃，溫控精度：±1°C，采用溫控表進行控溫； 6、噴淋頭尺寸：Φ90mm，噴淋頭與樣品之間電極間距15-50mm在線連續可調（可根據工藝調整），并帶有標尺指數顯示； 7.、沉積工作真空：13.3-133Pa（可根據工藝調整）； 8、射頻電源：頻率 13.56MHz，ZD功率300W全自動匹配； 9、氣體種類（用戶自備），標準配置為2路100sccm質量控制器，用戶可根據工藝更改氣路配置； 10、系統尾氣處理系統(用戶自備)。